Полезные ссылки

Передача энергии Можно видеть, что РХ повторяет аналогичную характеристику понижающего регулятора; отличие заключатся только в том, что в выражении используется коэффициент трансформации п - параметр, позволяющий изменять выходное напряжение в широких пределах. Часто схему ОПП называют трансформаторным аналогом ИРН-1. В данном разделе были приведены соотношения, позволяющие определить только основные параметры преобразователя, необходимые для выбора элементов схемы и расчета их режимов работы.

Влияние индуктивности рассеяния.
В классической схеме замещения двух обмоточного трансформатора эти индуктивности включаются в его первичную и вторичную цепи. При анализе схем преобразователей бывает удобно привести индуктивности рассеяния к одной из обмоток. Влияние индуктивности рассеяния обмоток трансформатора на работу ОПП можно показать, заменив трансформатор в схеме с дополнительной обмоткой его схемой замещения.

Проанализируем полученную таким образом схему ОПП. Выброс напряжения на запираемом ключе, вызванный индуктивностью, приводит к необходимости применять более высоковольтный, более дорогой транзистор, имеющий большее сопротивление в открытом состоянии. Поэтому снижение выброса напряжения на ключе ("шпильки" напряжения на языке инженеров) является задачей, требующей внимания при разработке. Уменьшение выброса связано, в первую очередь, со снижением индуктивности Ls.

Для этого можно применить следующее:
• использовать сердечник кольцевого типа, позволяющий уменьшить потоки рассеяния по сравнению с сердечниками другой формы;
• увеличить магнитную связь между обмотками, выполняя их с равным числом витков и наматывая одновременно;
• обмотки располагать ближе к сердечнику, выполняя их намотку первой.

Другой путь уменьшения напряжения, то есть выброса напряжения на ключе при его запирании, заключается в применении демпфирующих цепей, в которых рассеивается энергия, высвобождаемая из индуктивности L. Элементы демпфирующей цепи - значительно уменьшают выброс напряжения на запираемом ключе, что позволяет применить транзистор с меньшим допустимым напряжением сток-исток.
 
2009 © Copyright